中心陈睿研讨员与先导中心李豪杰高级工程师、南边科技大学王中锐教授、维也纳工业大学Lado Filipovic教授协作，针对GAA内侧墙结构Si/SiGe叠层横向选择性刻蚀工艺面对的描摹缺点和均匀性问题，经过提出全新的Ge原子解吸赞同分散的模仿算法，建立了根据蒙特卡洛办法的接连两步干法刻蚀工艺概括仿真模型，完成了针对Si/SiGe六叠层结构的横向选择性刻蚀工艺概括仿真，并完成了相应结构的流片试验。
经过结合描摹仿真和透射电子显微镜（TEM）表征，探求了Ge层刻蚀外表圆化现象，以及腔体气压等参数对刻蚀描摹均匀性的影响机制。该项工作为说明新原理刻蚀工艺机理和优化工艺性能供给了理论和试验参阅。研讨成果近期宣布在资料范畴尖端期刊《Small》上，一起当选TCAD仿真范畴旗舰会议SISPAD 2024口头报告。此外，相关研讨成果还宣布在《ACS Applied Electronic Materials》、《Journal of Vacuum Science & Technology A》 等期刊上。该项研讨得到了中国科学院战略性A类先导专项、国家自然科学基金的支撑。
图2 不同气压条件下的Si/SiGe六叠层iso/dense结构刻蚀试验与仿真成果
