上海工研院2025年硅光MPW流片发动座位有限预定赶快！

　　11/20/2024，光纤在线讯，上海工研院(SITRI)联合我国科学院上海微体系所、我国科学院半导体研究所、上海交通大学等国内硅基光电子范畴闻名研究机构，树立硅基光电子器材工艺渠道，具有近5000平米洁净室，具有90nm高精度光刻、晶体外延、介质薄膜成长、干法及湿法刻蚀、掺杂、金属互连和在线工艺检测等成套要害工艺才能，能够终究靠MPW、定制化流片、联合研制等多种方法为各类高校、科研院所和公司能够供给服务，完结用户研制、中试、封装等多样化需求。

　　通过多年沉积堆集，上海工研院硅光渠道的服务才能继续安稳提高，日趋老练，获得了职业的高度认可。2023年，90纳米硅基光电子技能当选《2023年上海市科学技能进步陈述》，并在2024年当选我国光学工程学会“硅基光电子三年优秀成果展”。跟着激烈的市场需求，为保证每一位合作同伴都能及时掌握住研制立异的先机，咱们正活跃分配资源，优化流程，保证在2025年为客户供给更紧凑、高效的流片周期。

　　在此，咱们诚挚约请各界同仁，无论是致力于前沿探究的学术团队，仍是寻求技能立异的企业同伴，尽早规划，掌握机遇，参加咱们的流片方案。2025年，让咱们携手并进，在硅基光电子的广阔天地中，一起书写归于未来的光辉华章！

　　上海工研院共供给5套硅光工艺，包含90nmSOI无源工艺、180nmSiN无源工艺、SiNonSOI无源工艺、90nmSOI有源工艺和SiNonSOI有源工艺。详细工艺才能如下：

　　现在，SOI无源集成工艺流片的最小工艺节点为90nm，具有三步硅刻蚀、TiN金属加热电极、单层铝互连和深硅刻蚀等要害工艺才能，可完结各种高性能的硅光无源器材。

　　SiN集成工艺流片具有LPCVD氮化硅、TiN金属加热电极、单层铝互连和深硅刻蚀等要害工艺才能，可完结各种高性能氮化硅无源器材。

　　SiNonSOI无源集成工艺流片，Si的最小工艺节点为90nm，SiN的最小工艺节点为200nm，具有了三步硅刻蚀、LPCVD氮化硅、TiN金属加热电极、单层铝互连以及深硅刻蚀等要害工艺才能。该工艺结合了氮化硅和SOI渠道的长处，能够在必定程度上完结高性能的硅光子和氮化硅无源器材。

　　现在，90nmSOI有源工艺流片的最小工艺节点为90nm，具有三步硅刻蚀、多步有源器材掺杂、锗外延与TiN金属加热电极、双层铝互连和深硅刻蚀等要害工艺才能，可完结各种高性能的硅光无源、有源器材。

　　SiNonSOI有源工艺流片，Si的最小工艺节点为90nm，SiN的最小工艺节点为200nm，具有三步硅刻蚀、多步有源器材掺杂、LPCVD氮化硅、锗外延与TiN金属加热电极、双层铝互连和深硅刻蚀等要害工艺才能。该工艺结合了氮化硅和SOI渠道的长处，可完结各种高性能的硅光无源、有源器材和氮化硅无源器材。