金融界2024年10月22日音讯，国家知识产权局信息数据显现，深圳市同和光电科技有限公司请求一项名为“一种红外LED芯片的制造办法及其红外LED芯片”的专利，公开号CN 118763159 A，请求日期为2024年9月。
专利摘要显现，本发明归于芯片制造范畴，触及一种红外LED芯片的制造办法，包含过程：在GaAs暂时衬底上顺次成长各层结构；在欧姆触摸层上选用光刻工艺制造花式粗化图形，选用干法ICP刻蚀或湿法刻蚀取得导电孔图形，保证刻蚀深度≥欧姆触摸层厚度；在导电孔上光刻P电极焊盘图形，蒸镀Cr‑Pt‑Au复合结构；将Wafer光刻掩膜构成切开道图形，并进行ICP刻蚀处理，构成P面管芯的阻隔；在过渡衬底上均匀涂覆一层固体蜡，进行暂时键合处理；在欧姆层外表，使用电子束蒸发堆积方法堆积N电极金属，构成N电极；在N电极上电镀一层金属Cu作为支撑衬底。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包含在内)为自媒体渠道“网易号”用户上传并发布，本渠道仅供给信息存储服务。
忽然崩了，清晨大跳水！特朗普“发问”，暴升25%！深夜宣告：降息50基点！“特朗普买卖”影响几许？
25分钟打卡下班：库里17+10+9轻松痛快 差1板三双科尔便是不让上
JDI 不再延伸芜湖 eLEAP OLED 产线备忘录，但仍将极力推动该项目
小米 Watch S4 手表官宣：对讲形式 / 手势操作，10 月 29 日发布
《编码物候》展览开幕 北京年代美术馆以科学艺术解读数字与生物交错的世界节律
