武汉新芯请求半导体器材及其制备办法专利下降对刻蚀工艺和堆积工艺的要求

　　金融界2024年10月22日音讯，国家知识产权局信息数据显现，武汉新芯集成电路股份有限公司请求一项名为“半导体器材及其制备办法”的专利，公开号 CN 118763096 A，请求日期为2024年7月。

　　专利摘要显现，本发明供给了一种半导体器材，所述半导体器材包含半导体基底，所述半导体基底包含SOI区和体硅区，所述SOI区包含从下至上的衬底、埋氧层及半导体层，所述体硅区包含所述衬底，所述体硅区的所述衬底的顶面与所述SOI区的所述半导体层的顶面齐平，然后可以下降所述SOI区和所述体硅区上制备相应的半导体结构时，对刻蚀工艺和堆积工艺的要求。相应的，本发明还供给了一种半导体器材的制备办法。