Semicon半导体工艺：干法刻蚀与湿法刻蚀的差异和特色

　　半导体制造工艺中的刻蚀是使用物理和(/或)化学办法有挑选性地从晶圆外表去除不必要资料的进程。刻蚀工艺一般坐落光刻工艺之后，使用刻蚀工艺对界说图形的光阻层腐蚀少而对方针资料腐蚀大的特色，然后完结图形搬运的工艺进程。刻蚀工艺大致上能够分为干法和湿法两种。

　　干法刻蚀是在真空环境(淡薄气体)下，将相关气体等离子体化，构成有用的离子态刻蚀反应物，与晶圆外表产生物理和(/或)化学反应构成气态产品，然后将方针资料去除。

　　干法刻蚀能够经过物理办法操控离子态刻蚀成分沿根本垂直于晶圆外表的方向炮击方针资料并强化化学刻蚀效果,然后具有十分杰出的方向性和刻蚀剖面可控性，能够构成各种沟槽和深孔等结构，确保纤细图形搬运的保真性，是半导体制造的完好进程中最首要的图形搬运办法。

　　干法刻蚀的长处是能够在必定程度上完结100纳米以下的精密图形搬运，缺陷是本钱高、产能低、资料挑选性不如湿法、等离子体可能对芯片形成电磁辐射损坏。刻蚀方向是各向异性。

　　湿法刻蚀是在大气环境下，使用化学品溶液去除品圆外表的资料的工艺进程。湿法刻蚀首要使用溶液中的有用化学成份与方针资料之间的化学反应，生成可溶性产品而将方针资料去除。

　　因为缺少有用的方向操控机理，湿法刻蚀大多数是各向同性的刻蚀，不能像干法刻蚀相同对刻蚀剖面进行准确操控，因而不能用于先进工艺中纤细图形的搬运。湿法刻蚀多用于先进工艺中干法刻蚀后残留物的去除，或许用于先进封装使用中微米级以上(大于3um)图形搬运。

　　湿法刻蚀的长处是本钱低、刻蚀速率高、资料挑选性高，缺陷是不能够完成微米级以下的图形搬运、化学品需求处理。刻蚀的方向性是各向同性。